收藏本站
SiS468DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
40
32
Package Limited
24
16
8
0
0
25
50 75 100
125
150
T C - Case Temperature ( ° C)
Current Derating*
65
52
39
26
13
0
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.0
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50 75 100 125
150
T C - Case Temperature (°C)
Power, Junction-to-Case
T A - Ambient Temperature (°C)
Power, Junction-to-Ambient
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
Document Number: 63750
S12-0542-Rev. A, 12-Mar-12
For technical support, please contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
5
This document is subject to change without notice.
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SIS892ADN-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V D-S PPAK 1212
SIS902DN-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 75V 1212-8 PPAK
SISA10DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8
SIZ700DT-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 1212-8
SIZ710DT-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 20V POWERPAIR
SIZ720DT-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 20V POWERPAIR
SIZ902DT-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V DUAL D-S
SKY12322-86LF-EVB BOARD EVALUATION FOR SKY12322-86
相关代理商/技术参数
SIS472DN 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SIS472DN-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30 Volts 20 Amps 28 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIS476DN 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SIS476DN-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 2.5mOhm@10V 40A N-Ch G-IV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIS478DN 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SIS478DN-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 12A N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIS488DN-T1-GE3 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:SINGLE N-CHANNEL 40V POWERPAK 1212-8 MOSFET 5.5MOHM@ 10V - Tape and Reel 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CHAN 40V 1212-8
SIS5102QP1HT1G 功能描述:开关变换器、稳压器与控制器 MI HI SD SMRT HOTPLG RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出电压:1.2 V to 10 V 输出电流:300 mA 输出功率: 输入电压:3 V to 17 V 开关频率:1 MHz 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:WSON-8 封装:Reel